PMGD290XN,115 与 BSD840N H6327 区别
| 型号 | PMGD290XN,115 | BSD840N H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMGD290XN,115 | A-BSD840N H6327 |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 350mΩ@200mA,4.5V | 270mΩ |
| 上升时间 | - | 2.2ns,2.2ns |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 410mW | 500mW(1/2W) |
| Qg-栅极电荷 | - | 260pC,260pC |
| 栅极电压Vgs | ±12V | 8V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 2.5S,2.5S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 7.8ns,7.8ns |
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT363 | - |
| 连续漏极电流Id | 0.86A | 880mA |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 2Channel |
| 配置 | - | Dual |
| 系列 | - | BSD840 |
| 长度 | - | 2.00mm |
| 下降时间 | - | 900ps,900ps |
| 典型接通延迟时间 | - | 1.9ns,1.9ns |
| 高度 | - | 0.90mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
暂无价格 | 84,000 | 对比 | ||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
￥0.627
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366 | 对比 | ||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
暂无价格 | 8 | 对比 | ||||||
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BSD840N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 880mA 270mΩ 8V 500mW(1/2W) 2N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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